Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

Características - 1 TB M.2 PCI Express 4.0 - Velocidad de lectura: 5000 MB/s - Velocidad de escritura: 4200 MB/s - V-NAND TLC NVMe 2.0 - Encriptación de hardware 256-bit AES - Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM - Componente para: Universal Especificaciones Características Factor de forma de disco SSD: M.2 SDD, capacidad: 1 TB Interfaz: PCI Express 4.0 Tipo de memoria: V-NAND TLC NVMe: Si Componente para: Universal Encriptación de hardware: Si Versión NVMe: 2.0 Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES Velocidad de lectura: 5000 MB/s Velocidad de escritura: 4200 MB/s Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Revisión PCI Express CEM: 4.0 Soporte S.M.A.R.T.: Si Soporte TRIM: Si Tiempo medio entre fallos: 1500000 h calificación TBW: 600 Control de energía Voltaje de operación: 3,3 V Consumo de energía (lectura): 4,9 W Consumo de energía (escritura): 4,5 W Consumo energético (en suspensión): 0,005 W Consumo de energía (espera): 0,06 W Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Intervalo de temperatura de almacenaje: -40 - 85 °C Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95% Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95% Vibración no operativa: 20 G Golpe (fuera de operación): 1500 G Detalles técnicos Periodo de garantía: 5 año(s) Peso y dimensiones Ancho: 80,2 mm Profundidad: 22,1 mm Altura: 2,38 mm Peso: 9 g Empaquetado Tipo de embalaje: Caja