Samsung MZ-V9S4T0BM unidad de estado sólido 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Ref.: MZ-V9S4T0BM
- 4 TB M.2 PCI Express 4.0 - Velocidad de lectura: 7150 MB/s 850000 IOPS - Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1350000 IOP...
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Características - 4 TB M.2 PCI Express 4.0 - Velocidad de lectura: 7150 MB/s 850000 IOPS - Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1350000 IOPS - V-NAND TLC NVMe 2.0 - Encriptación de hardware 256-bit AES - Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM - Componente para: PC Especificaciones Características SDD, capacidad: 4 TB Factor de forma de disco SSD: M.2 Interfaz: PCI Express 4.0 NVMe: Si Tipo de memoria: V-NAND TLC Componente para: PC Encriptación de hardware: Si Versión NVMe: 2.0 Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Velocidad de lectura: 7150 MB/s Velocidad de escritura: 6300 MB/s Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS Escritura aleatoria (4KB): 1350000 IOPS Soporte S.M.A.R.T.: Si Soporte TRIM: Si Tiempo medio entre fallos: 1500000 h Peso y dimensiones Ancho: 80,2 mm Profundidad: 2,38 mm Altura: 22,1 mm Peso: 9 g Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
MZ-V9S4T0BM

Referencias específicas

ean13
8806095575667
Nuevo

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17/07/2018

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