Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Características - 4 TB M.2 PCI Express 5.0 - Velocidad de lectura: 14800 MB/s 2200000 IOPS - Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 IOPS - V-NAND TLC NVMe 2.0 - Encriptación de hardware 256-bit AES - Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM - Componente para: PC/Consola de videojuegos Especificaciones Características SDD, capacidad: 4 TB Factor de forma de disco SSD: M.2 Interfaz: PCI Express 5.0 NVMe: Si Tipo de memoria: V-NAND TLC Componente para: PC/Consola de videojuegos Encriptación de hardware: Si Versión NVMe: 2.0 Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Velocidad de lectura: 14800 MB/s Velocidad de escritura: 13400 MB/s Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS Soporte S.M.A.R.T.: Si Soporte TRIM: Si Tiempo medio entre fallos: 1500000 h Control de energía Voltaje de operación: 3,3 V Consumo eléctrico promedio (lectura): 9 W Consumo eléctrico promedio (escritura): 8,2 W Peso y dimensiones Ancho: 80,2 mm Profundidad: 8,88 mm Altura: 25 mm Peso: 30 g Empaquetado Tipo de embalaje: Caja Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Golpes en funcionamiento: 1500 G